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量子点LED多层电荷传输层优化与FWHM/EQE协同提升

摘要

随着显示技术向高色域、高效率方向演进，量子点发光二极管（QLED）凭借其独特的光学特性成为研究热点。然而，传统QLED器件在红光波段常面临色纯度不足与发光效率难以兼得的困境，主要归因于电荷注入不平衡导致的激子猝灭以及量子点材料自身的光谱展宽效应。本课题旨在设计一种基于多层电荷传输层结构的红光QLED器件，通过优化TFB/TPO电子阻挡层与ZnO电子注入层，实现半峰宽（FWHM）、外量子效率（EQE）及色域的协同提升。

本文首先分析了高色纯度QLED器件的研究现状与技术瓶颈，确立了以630nm红光发射为核心，目标FWHM小于25nm、EQE超过20%、色域覆盖大于110%NTSC的设计指标。在总体设计阶段，构建了“空穴传输/电子阻挡/发光/电子传输”的分层架构，重点设计了TFB与TPO的叠层结构以调控空穴注入并阻挡电子泄漏，同时匹配ZnO纳米颗粒层以平衡电子注入速率。详细设计中，通过能级对齐理论计算了各层厚度与掺杂浓度，制定了具体的器件制备工艺流程。

在系统实现阶段，采用溶液旋涂与热蒸发相结合的工艺制备了器件样品，并搭建了光电测试系统进行性能验证。测试结果表明，优化后的器件在630nm处实现了22nm的极窄半峰宽，外量子效率达到22.5%，色域覆盖率高达112%NTSC，各项指标均达到或优于设计预期