英飞凌如何控制和保证基于SiC_的功率半导体器件的可靠性_69页_8mb.pptxVIP

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10/2025;商用级SiCMOSFET的栅极氧化层可靠性――失效率和寿命

SiCMOSFET的栅极氧化层可靠性简介

大量的栅极氧化层早期失效多年来一直阻碍了SiCMOSFET的商业化进程，并引发出对SiCMOS开关能否像Si技术一样可靠的怀疑。过去十年里，SiC技术已发展得基本成熟，SiCMOS器件的栅极氧化层可靠性已逐步取得改进。这为它们成功地进入大众市场打开了大门。

在栅极氧化层可靠性领域，可以重复使用Si技术的许多专业知识。例如，事实表明，基于SiC的SiO2的物理击穿场强与Si器件上的SiO2相似（即使不相同）[1]。这意味着，在SiC上制取的SiO2的整体击穿稳定性与在Si上制取的SiO2一样好。SiCMOSFET的栅极氧化层可靠性之所以不如SiMOSFET，是由于“外在”的缺陷导致的。外在的缺陷是指栅极氧化层发生细微的变形，致使局部氧化层变薄（见图1）。;8

10/2025;;3.3.1马拉松应力试验

研究外在失效的常用方法之一是给器件施加尽可能接近实际应用条件的应力，同时测试大量的样品。之所以要求测试大量样品，是因为在经过电气筛查之后，外在失效发生的概率通常极低。为此，我们开发出一种新的试验方法，它就是我们