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硅基ZnO薄膜发光器件电抽运随机激射增强策略的深度探究与应用拓展

一、引言

1.1研究背景

在现代光电子技术领域，薄膜发光器件凭借其独特的优势，如轻薄便携、易于集成等，在信息存储、光通信、显示技术等众多关键领域中占据了不可或缺的地位。硅基薄膜发光器件由于与现有成熟的半导体工艺高度兼容，能够充分利用半导体产业已有的设备和技术，极大地降低生产成本，同时还展现出优异的性能，因此吸引了众多研究者的目光，成为了该领域的研究热点之一。

在众多可用于硅基薄膜发光器件的材料中，ZnO材料脱颖而出，备受关注。ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族直接宽带隙半导体材料，室温下其禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能高