微电子工艺集成技术详解与实践指南.pptVIP

第九章

集成电路制造工艺集成;9.1引言;硅片制造厂的分区

硅片制造厂分成6个独立的生产区：扩散（涉及

氧化、热掺杂等高温工艺）、光刻、刻蚀、薄膜（涉及APCVD、LPCVD、PECVD、溅射

等）、离子注入和抛光（CMP）。;CMOS简明工艺流程;CMOS简明工艺流程（续）

;CMOS简明工艺流程（续）;本章介绍两种不同的集成电路制造技术

1.基本的4～6μm双极集成电路工艺技术

2.先进的0.18μmCMOS集成电路工艺技术

;9.2基本的4～6μm双极集成电路工艺技术;器件剖面图及电路图;1.备片：P型硅单晶、单面抛光片、晶向＜111＞、

电阻率ρ＝8～15Ω.cm

2.埋层氧化

工艺目标：制作注入掩蔽层

工艺方法：（干＋湿＋干）氧化

工艺要求：tox＝1000nm左右

;3.光刻埋层区

工艺目标：定义隐埋层注入区

工艺方法：光刻8环节（HMDS气相成底膜、涂胶、软烘、对准曝光、曝光后烘焙、显影、坚膜、检查）、湿法刻蚀、湿法去胶

工艺要求：边缘整齐、无针孔、无小岛

;4.薄氧氧化

工艺目标：制作注入屏蔽氧化层，用于减小注入损伤及沟道效应。

工艺方法：干氧氧化

工艺