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2026年后集中式光伏电站1500V至2000V系统电压升级中SiC器件的关键角色预测

摘要

本报告聚焦于集中式光伏电站领域，系统研判2026年至2030年间，系统母线电压从1500V向2000V升级过程中，碳化硅（SiC）功率器件将扮演的关键角色及其替代硅基IGBT模块的转折点。

核心判断是：2000V高压系统将在2027年前后进入规模化示范阶段，并驱动集中式逆变器功率密度实现40%至60%的跃升。SiCMOSFET模块凭借其在高频、高压、高温工况下的压倒性性能优势，将在2028年至2029年迎来替代IGBT模块的临界点，届时SiC模块在新增2000V集中式逆变器中的渗透