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基于SiC的轨道交通永磁同步电机无位置传感器控制中的高频注入法优化

摘要

本报告聚焦碳化硅（SiC）功率器件在轨道交通永磁同步电机（PMSM）无位置传感器控制领域，特别是高频信号注入法优化中的深度应用。

随着轨道交通向高效、绿色、智能化发展，永磁牵引系统成为主流。然而，传统基于硅基IGBT的逆变器受限于开关频率，其高频注入法面临信噪比低、位置估算精度差、电磁噪音突出等瓶颈。

核心发现表明，SiC器件的问世提供了颠覆性解决方案。利用SiCMOSFET高达数十kHz的开关频率，可将注入电压频率提升至人耳敏感范围之外，从物理层面消除高频噪音。同时，基于SiC的系统能显著拓宽信号带