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半导体晶圆研磨抛光工程师考试试卷及答案

填空题（共10题，每题1分）

1.半导体晶圆研磨液的主要成分包括磨料、______和添加剂。

答案：分散剂

2.抛光垫的常见类型有聚氨酯垫和______垫。

答案：绒布

3.硅晶圆的核心材料是______。

答案：单晶硅

4.晶圆研磨的目的之一是调整______。

答案：厚度

5.抛光后表面粗糙度的常用单位是______。

答案：纳米（nm）

6.CMP的中文全称是______。

答案：化学机械抛光

7.常用晶圆直径规格有8英寸和______英寸。

答案：12

8.研磨压力的常用单位是______。

答案：千帕（kPa）

9.硅片抛光研磨液的pH值通常为______（碱性范围）。

答案：8-11

10.研磨机的核心部件包括主轴和______。

答案：研磨盘

单项选择题（共10题，每题2分）

1.以下哪项不是CMP去除速率的影响因素？（）

A.温度B.压力C.晶圆颜色D.研磨液浓度

答案：C

2.抛光垫修整的主要目的是？（）

A.增加硬度B.维持表面形貌C.减少研磨液消耗D.提高温度

答案：B

3.晶圆表面“划痕”属于哪种缺陷？（）

A.机械缺陷B.化学缺陷C.电学缺陷D.热缺陷

答案：A

4.研磨液中磨料的主要作用是？（）

A.化学腐蚀B.机械研磨C.冷却D.润滑

答案：B

5.CMP工艺不包括以下哪步？（）

A.预研磨B.抛光C.清洗D.光