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半导体物理与器件第三版课后习题答案试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

选择题（每题2分，共20分）

1.在本征半导体中，载流子浓度随温度的变化规律是（）。

A.随温度升高而线性增加

B.随温度升高而指数增加

C.随温度升高而减小

D.与温度无关

2.N型半导体的多数载流子是（）。

A.电子

B.空穴

C.离子

D.中子

3.PN结在反向偏置时，空间电荷区的宽度（）。

A.变窄

B.变宽

C.不变

D.随外加电压线性变化

4.双极型晶体管（BJT）在放大区工作时，发射结和集电结的偏置状态是（）。

A.发射结正偏，集电结反偏

B.发射结反偏，集电结正偏

C.两者都正偏

D.两者都反偏

5.MOSFET的阈值电压主要取决于（）。

A.栅氧化层厚度

B.沟道长度

C.漏极电压

D.栅极电压

6.费米能级在本征半导体中的位置（）。

A.位于禁带中央

B.靠近导带底

C.靠近价带顶

D.随掺杂浓度变化

7.漂移电流密度公式为（）。

A.J=qnμE

B.J=qnD(dn/dx)

C.J=