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P沟道增强型场效应晶体管NDS9405特性与应用.pdfVIP

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  • 2026-07-14 发布于北京
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P沟道增强型场效应晶体管NDS9405特性与应用.pdf

    1996年2月

    N

    NDS9405

    单P沟道增强型场效应晶体管

    概述特性

    ‑4.3A，‑20V。R=0。10@V=‑10V

    这些P沟道增强型功率场效应DS(ON)GS

    晶体管采用国家专有的高单元密度技术生产

    度单元设计以实现极低的RDS(ON)

    这种非常度的工艺特别优化，以最小化导通电阻，

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