第三章IC制造工艺.pptx

PowerPoint演示文稿;PowerPoint演示文稿;第3章IC制造工艺;集成电路制造工艺;PowerPoint演示文稿;PowerPoint演示文稿;PowerPoint演示文稿;3.2.1外延生长(Epit;化学汽相淀积(CVD);化学汽相淀积(CVD);Si基片的卤素生长外延;化学汽相淀积(CVD)——二氧;化学汽相淀积(CVD)——多晶;物理气相淀积(PVD)——金属;PowerPoint演示文稿;金属有机物化学气相沉积(MOC;PowerPoint演示文稿;分子束外延生长(MBE:;PowerPoint演示文稿;3.2掩膜(Mask)的制版;什么是掩膜?;整版及单片版掩膜;早期掩膜制作方法:;PowerPoint演示文稿;整版和接触式曝光;2.图案发生器方法:(PG;图案发生器方法(续);3.X射线制版;4.电子束扫描法(E-Bea;电子束光刻装置:LEICA;电子束制版三部曲:;电子束扫描法(续);3.2.3光刻(Lit;光刻步骤;正性胶与负性胶光刻图形的形成;涂光刻胶的方法(见下图):;光刻步骤二、三、四;PowerPoint演示文稿;接触式光刻;曝光系统(下图):点光源产生;掩膜和晶圆之间实现理想接触的制;非接触式光刻;缩小投影曝光系统;PowerPoint演示文稿;缩小投影曝光系统的特点;图形刻蚀技

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