CN119528517A 一种适用于消落带岸坡的多孔结构及其制作方法 (天府永兴实验室).pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约1.89万字
  • 约 19页
  • 2026-07-16 发布于重庆
  • 举报

CN119528517A 一种适用于消落带岸坡的多孔结构及其制作方法 (天府永兴实验室).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119528517A

(43)申请公布日2025.02.28

(21)申请号202411780152.8C04B38/08(2006.01)

C04B38/00(2006.01)

(22)申请日2024.12.05

E02B3/04(2006.01)

(71)申请人天府永兴实验室

E02B3/12(2006.01)

地址610213四川省成都市天府新区集萃

街619号

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档