CN119615090A 一种矩形磁控溅射阴极磁场优化设计方法 （武汉普迪真空科技有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119615090A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202411796665.8

(22)申请日2024.12.06

(71)申请人武汉普迪真空科技有限公司

地址430000湖北省武汉市江夏区庙山大

道九号东湖高新产业创新基地18号楼

101-201室

(72)发明人周焱文马艳聂天伟段云飞

(74)专利代理机构武汉天领众智专利代理事务

所(普通合伙)42300

专利代理师章国钧

(51)Int.Cl.

C23C14/35(2006.01)

G06F30/23(2020.01)