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半导体先进节点空气间隙侧墙：等离子体增强化学气相沉积设备与低k侧墙材料的保形性竞争

摘要

本报告聚焦半导体先进节点（≤7nm）中，空气间隙侧墙工艺涉及的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备与低介电常数（低k）材料之间的保形性竞争。核心分析对象为LamResearch的Vector平台及其在沉积SiCO/SiOCN侧墙时的台阶覆盖表现，同时横向对比应用材料、东京电子等主要竞争者。

核心发现表明，在5nm及以下节点，侧墙保形性与低k值维持之间存在根本性工艺权衡。LamVector平台通过多步等离子体处理与脉冲射频技术，在SiCO薄膜中实现了超过95%的台阶覆盖率，但k值