CN120072678A 等离子处理方法 （株式会社日立高新技术）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120072678A

(43)申请公布日2025.05.30

(21)申请号202510276162.6

(22)申请日2021.09.14

(30)优先权数据

17/038,0242020.09.30US

(62)分案原申请数据

202111084850.02021.09.14

(71)申请人株式会社日立高新技术地址日本

(72)发明人福地功祐朝仓凉次江藤宗一郎冈本翔臼井建人中元茂

(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任

公司11021

专利代理师吴秋明

(51)Int.Cl.

H01L21/66(2006.01)

H01L21/67(2006.01)

权利要求书2页说明书16页附图11页

(54)发明名称

等离子处理方法

(57)摘要

CN120072678A本发明提供等离子处理方法。即使是在半导体晶片表面的微细形状中发生偏差的情况，也能精度良好地检测被处理膜的厚度。在具备检测在真空处理室的内部中被处理的被处理件的被处理膜的状态的处理状态检测组件的等离子处理装置中，具备如下要素而构成处理状态检测组件：检测等离子的发光的发光检测部；求取等离子的发光的微分波形数据的运算部；存储多个微分波形图案数据的数据库部；赋予基于运算部中求得的微