DARPA：半导体技术在电子战中性能提升研究.pdfVIP

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DARPA：先进

推动在电子战中的性能

作者：JohnHaystead

在高级研究计划局（DARPA），高速和高输出功率一直是新材料研究

的主要目标，但其工作的最终目标是推动技术能力的发展，以扩展其在电磁频谱（

EMS）中的应用范围。

该机构在开发新材料能力方面有着悠久的，包括硅互补金属氧化物（CMOS）

和III‑V器件。III‑V材料指的是周期表中第III族和第半导体元素。III‑V领域的重大

工作始于砷化镓（GaAs），但现在也扩展到了磷化铟（InP）和的氮化镓（GaN）。

InP和GaN在DARPA的项目组合中仍占有重要地位。

NEXT

像大多数DARPA研究工作一样，其当前的先进材料研究建立在早期和相关技术开发计划

的基础上，这些计划始于宽带隙计划，这是一个基础性的氮化镓（GaN）计划，

贯穿整个20世纪初。这项努力开发了适用于S波段（