基于GaN器件的机载红外对抗系统在定向干扰导弹导引头中的高功率中波激光趋势预测.docx

PAGE2

基于GaN器件的机载红外对抗系统在定向干扰导弹导引头中的高功率中波激光趋势预测

摘要

本报告聚焦于氮化镓（GaN）泵浦技术驱动的机载中波红外激光器，在定向红外对抗（DIRCM）系统中实现功率扩展与全向防护的趋势预测，研究周期为2024年至2032年。

核心判断指出，GaN器件凭借其高频、高功率密度与热管理优势，正成为新一代DIRCM系统突破功率瓶颈的关键使能技术。预计到2028年后，基于GaN泵浦的高功率中波激光器将逐步成熟，推动DIRCM系统从当前的大型飞机点防御，向大型运输机与直升机的全向激光防护架构演进。关键预测数据包括：中波激光器平均输出功率将在2028年突破50瓦，