第五章场效应放大电路课件.ppt

第5章场效应管放大电路;场效应晶体管（FieldEffectTransistor简称FET）:是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件。工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。;场效应管结构;;符号：;2N沟道增强型管的工作原理;N型导电沟道;(2)漏源电压vDS对漏极电流id的控制作用;3特性曲线;②可变电阻区(vDS≤vGS-vT);③饱和区（恒流区又称放大区）;（2）转移特性曲线;5.1.2N沟道耗尽型MOSFET;工作原理：

（1）由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道，所以在VGS=0时，若漏–源之间加上一定的电压VDS，也会有漏极电流ID产生。;2耗尽型N沟道MOS管的特性曲线;;2P沟道耗尽型管;耗尽型;5.1.4沟道长度调制效应;5.1.5MOSFET的主要参数;2.低频互导gm;三、极限参数;5.3结型场效应管;2.工作原理;;;;(3)当vGDVP时，vGS对漏极电流iD的控制。;综上分析可知;5.3.2JFET的特性曲线及主要参数;场效应管的四个工作区：;2转移特性曲线：;3场效应管的主要参数;5.2.1MOSFET放大电路;增强型N沟道MOS管的特性曲线;耗尽型N沟道MOS管的特性曲线;JFET的特性曲线;1.直流偏置及静态工作点的