2025年长鑫存储研发岗笔试必刷200题及答案解析.docVIP

2025年长鑫存储研发岗笔试必刷200题及答案解析

一、单项选择题（总共10题，每题2分）

1.以下属于DRAM存储单元核心组成部分的是？

A.浮栅晶体管B.电容+晶体管C.磁阻元件D.相变材料

2.半导体制造中，光刻工艺的关键作用是？

A.沉积薄膜B.定义图形C.去除杂质D.连接电路

3.DRAM需要定期刷新的主要原因是？

A.电容电荷泄漏B.晶体管老化C.地址线干扰D.数据线噪声

4.以下哪种工艺用于芯片制造中的全局平坦化？

A.化学机械抛光（CMP）B.原子层沉积（ALD）C.等离子体刻蚀D.离子注入

5.NANDFlash存储数据的原理是？

A.电容电荷存储B.浮栅电荷捕获C.磁矩方向变化D.电阻状态切换

6.先进DRAM工艺中，常使用高k介质替代SiO?作为栅极绝缘层，主要目的是？

A.降低介电常数B.减少漏电流C.提高热稳定性D.简化工艺步骤

7.以下哪项是半导体测试中“晶圆级测试（CP）”的主要目的？

A.验证封装可靠性B.筛选不良芯片C.测试引脚连接D.评估老化性能

8.EUV（极紫外）光刻的典型波长是？

A.193nmB.248nmC.13.5nmD.365nm

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