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全植入式神经刺激器磁共振兼容射频无线充电系统与热抑制设计

摘要

深部脑刺激器（DBS）作为治疗帕金森病等神经退行性疾病的核心设备，长期依赖植入电池供电，需反复手术更换，显著增加患者感染风险与医疗负担。现有无线充电方案在磁共振成像（MRI）环境中易引发射频干扰与组织过热，导致临床应用受限。本设计针对此痛点，提出磁共振兼容的经皮射频无线充电系统及温度闭环热抑制方案。

需求分析阶段明确MRI兼容性与热安全为关键约束，总体设计采用分层架构实现供电与安全双目标。详细设计中创新性开发螺旋-环形复合线圈结构，通过阻抗匹配抑制MRI射频场干扰；同时构建温度反馈PID控制模型，动态调节充电功率。系统实现基于ANSYS电磁仿真与STM32嵌入式平台，测试阶段验证了1.5TMRI环境下的安全充电能力。

核心创新在于：首次将磁谐振耦合技术与MRI梯度场动态补偿结合，线圈Q值控制在8-12范围内；热抑制系统响应时间缩短至0.8秒，温升严格限制在1.5℃内。本设计为全植入式神经刺激器提供可持续供电方案，推动神经调控技术向安全化、长寿命方向发展，全文遵循工程化设计流程，突出医疗电气领域的安全优先原则。

第一章绪论

1.1研究背景

深部脑刺激器临床应用中，电池寿命仅3-5年，患者需承受平均3.2次更换手术，术后感染率达8.7%。传统感应式无线充电在1.5TMRI扫描时，线圈感应电流激增导