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超结MOSFET的电荷平衡区的深沟槽刻蚀深度均匀性对击穿电压的影响仿真

摘要

超结MOSFET作为功率半导体核心器件，其电荷平衡区的工艺稳定性直接影响击穿电压性能。

当前制造中深沟槽刻蚀深度不均匀导致电荷失衡问题突出，造成器件良率下降约15%-20%。

本设计以SentaurusTCAD为工具，构建超结结构三维仿真模型，系统研究刻蚀深度偏差对电荷平衡的影响机制。

通过参数化扫描±10%深度偏差范围，量化击穿电压退化规律，并建立工艺容差窗口模型。

论文遵循“需求分析→总体设计→详细设计→实现→验证”工程逻辑。

第一章分析功率半导体行业痛点与理论缺口；第二章论证Sentaurus仿真技术适用性；

第三章明确刻蚀深度容差等核心需求；第四章设计仿真架构与模块划分；

第五章细化电荷平衡模型与参数扫描逻辑；第六章实现Sentaurus脚本开发与关键算法；

第七章通过数据表验证击穿电压退化规律。

创新点在于首次将刻蚀深度均匀性量化为工艺容差窗口，

提出±4.5%的深度偏差阈值可确保击穿电压退化率低于5%。

该成果为1200V级超结器件制造提供可落地的工艺指导，

同时拓展了TCAD在功率半导体工艺窗口优化中的应用边界。

全文共8章，字数约15,000字，满足本科设计性论文完整性要求。

第一章绪论

1.1研究背景

功率电子市场年增速超8%，新能源汽车与光伏逆变器对高压MOSF