功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化铝陶瓷覆铜基板标准研究报告.docxVIP

SJ/T12006-2025功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化铝陶瓷覆铜基板标准发展报告

EnglishTitle

StandardDevelopmentReportforActiveMetalBrazing(AMB)AluminumNitrideCeramicCopper-CladSubstratesforPowerSemiconductorPackaging—SJ/T12006-2025

摘要

随着第三代半导体（碳化硅、氮化镓）及大功率IGBT模块向高电压、大电流、高频化方向快速发展，封装基板的热管理能力与可靠性成为制约器件性能的关键瓶颈。活性金属钎焊（ActiveMetalBrazing,AMB）氮化铝陶瓷覆铜基板凭借其优异的导热系数（≥170W/(m·K)）、与芯片匹配的热膨胀系数（约4.5×10??/℃）以及高结合强度，已成为高压功率模块封装的主流选择。然而，长期以来国内缺乏针对该类型基板的统一行业标准，导致市场产品性能参差不齐、检测方法不统一、可靠性评价体系缺失。为规范和引导产业发展，中华人民共和国工业和信息化部于2025年发布了SJ/T12006-2025《功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化铝陶瓷覆铜基板》行业标准。本标准在广泛调研国内外技术现状和产业需求的基础上，系统规定了AMB氮化铝陶瓷覆铜基板