济南大学信息科学与工程学院半导体物理及器件第11章 MOSFET基础.pptVIP

增强型：栅压为0时不导通N沟（正电压开启“1”导通）P沟（负电压开启“0”导通）耗尽型：栅压为0时已经导通N沟（很负才关闭）P沟（很正才关闭）*11.3.2N沟道增强型MOS场效应管工作原理1.VGS对半导体表面空间电荷区状态的影响(1)VGS=0漏源之间相当于两个背靠背的PN结，无论漏源之间加何种极性电压，总是不导电。SBD当VGS逐渐增大时，栅氧化层下方的半导体表面会发生什么变化？BPGSiO2SDN+N+*(2)VGS0逐渐增大栅氧化层中的场强越来越大，它们排斥P型衬底靠近SiO2一侧的空穴，形成由负离子组成的耗尽层。增大VGS耗尽层变宽。当VGS继续升高时,沟道加厚，沟道电阻减少，在相同VDS的作用下，ID将进一步增加。BPGSiO2SDN+N+++--++--++++VGS--------反型层iD由于吸引了足够多P型衬底的电子，会在耗尽层和SiO2之间形成可移动的表面电荷层——反型层、N型导电沟道。这时，在VDS的作用下就会形成ID。(3)VGS继续增大弱反型强反型VDS*阈值电压：使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压。用