济南大学信息科学与工程学院半导体物理及器件第10章 MOSFET基础.pptVIP

10.2C-V特性界面陷阱的影响:堆积状态堆积状态：界面陷阱带正电，C-V曲线左移，平带电压更负例图:需要额外牺牲三个负电荷来中和界面态的正电,所以平带电压更负------+++施主态容易放出电子带正电*禁带中央：界面陷阱不带电，对C-V曲线无影响10.2C-V特性界面陷阱的影响:本征状态*反型状态：界面陷阱带负电，C-V曲线右移，阈值电压更正。10.2C-V特性界面陷阱的影响:反型状态例图:需要额外牺牲三个正电荷来中和界面态的负电,所以阈值电压升高___++++++受主态容易接受电子带负电*小节内容氧化层电荷及界面态对C-V曲线的影响氧化层电荷影响及曲线界面态概念界面态影响概念曲线实例如何测C-V曲线如何看图解释出现的现象*10.3MOSFET原理2015-1110.3MOSFET基本工作原理MOSFET结构电流电压关系——概念电流电压关系——推导跨导衬底偏置效应*10.3MOSFET原理MOSFET结构N沟道增强型MOS场效应管的结构示意图BPGN+N+源漏SDSiO2Ltox1.结构SGDB2.符号3.基本参数沟道长度L(跟工艺水平有关)沟道宽度W栅氧化层厚度