济南大学信息科学与工程学院半导体物理及器件第9章 金半接触和半导体异质结.pptVIP

第九章金属半导体和半导体异质结2014年11月9.2欧姆接触（1）使表面不产生势垒的接触—金属与n型半导体接触使N型半导体表面更N，不上坡，下坡*9.2欧姆接触*电子从半导体流向金属电子从半导体流向金属电子从金属流向半导体（1）使表面不产生势垒的接触—金属与n型半导体接触9.2欧姆接触（1）使表面不产生势垒的接触—金属与p型半导体接触使p型半导体表面更p*9.2欧姆接触前述没有考虑界面态的影响．实际由于界面态的影响，很难很好的形成欧姆接触．上半部为受主态，位于EF下时带负电（图9.11b）下半部为施主态，位于EF上时带正电（图9.13b）因此，实际的欧姆接触采用隧道效应*9.2欧姆接触9.2.2隧道效应１００埃左右隧道电流：隧道电流随掺杂浓度的增大而指数增大。*接触电阻值整流接触：欧姆接触(隧道效应)：Rc随Nd呈指数规律变化。9.2欧姆接触*理论上形成好的欧姆接触：生成一个低势垒，且在半导体表面重掺杂。9.3异质结能带图异质结的分类反型异质结；nP结，Np结；（大写字母表示较宽带隙材料）同型异质结：nN结，pP结。异质结：两种不的半导体材料组成的结。有用的异质结，两种材料的晶格常数必须匹配，否则引起表面断层并最终导致表面态的产生。*9.3异质结接触前接触后电子从