济南大学信息科学与工程学院半导体物理及器件第12章 双极晶体管.pptVIP

12.1非理想效应迁移率变化:Si的情形（104V/cm)低场：迁移率不随E而变高场：迁移率随E增加而下降强场：迁移率与E成反比*12.1非理想效应迁移率变化:GaAs、InP的情形（104V/cm)与Si相比，GaAs、InP的特点：存在漂移速度峰值迁移率大存在负微分迁移率区饱和漂移速度小*12.1非理想效应12.1.4迁移率变化:速度饱和效应漏源电流下降提前饱和饱和漏源电流与栅压成线性关系饱和区跨导与偏压及沟道长度无关截止频率与栅压无关*12.1非理想效应弹道输运非弹道输运MOSFET沟道长度L0.1μm，大于散射平均自由程；载流子从源到漏运动需经过多次散射；载流子运动速度用平均漂移速度表征；弹道输运MOSFET沟道长度L0.1μm，小于散射平均自由程；载流子从源到漏运动大部分没有一次碰撞-弹道输运；高速器件、纳米器件；*在MOSFET中，当沟道长度小于载流子的碰撞距离时，载流子中的一大部分可以不经过散射就能从源端到达漏端，这种载流子运动称为弹道输运。12.2按比例缩小为什么要缩小MOSFET尺寸?提高集成度：同样功能所需芯片面积更小；提升功能：同样面积可实现更多功