医学课件CMOS晶体管基础.pptVIP

二CMOS晶体管基础;1、工作原理;线宽(Linewidth),

特征尺寸(FeatureSize)指什么？;Lmin、Wmin和tox由工艺确定

Lmin：MOS工艺的特征尺寸(featuresize)

决定MOSFET的速度和功耗等众多特性

L和W由设计者选定

通常选取L=Lmin，由此，设计者只需选取W

W影响MOSFET的速度，决定电路驱动能力和功耗;①VGS〈Vthn时;②，VGS=Vthn时;柄挺颁舜稗柳废原掣宛杰绽果薪忠谨邀强紫盒丹疾纵陇嚷歌馋瞧扒靴幽刮CMOS晶体管基础CMOS晶体管基础;沟道夹断;2、阈值电压（ThresholdVoltage）;对于一般工艺，Vtn=0.83V(NMOS的阈值电压),

Vtp=-0.91V(PMOS的阈值电压）,

阈值电压由工艺参数决定;3、MOSFET的I-V特性(线性区TriodeRegion);MOSFETI-V特性(饱和区SaturationRegion);当晶体管被夹断(pinchoff)时,发生了什么?

增大VDS使耗尽区扩大到沟道中.

这导致ID随VDS的增加而增大.因此ID可写为:;MOSFETI-VCharact