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化学气相沉积法制备GaN纳米线及其形貌结构和生长机理研究.docx

化学气相沉积法制备GaN纳米线及其形貌结构和生长机理研究.docx

    020822014年第2期(45)卷

    文章编号:1001-9731(2014)02-02082-04

    化学气相沉积法制备GaN纳米线及其形貌结构和生长机理研究?

    万想,孟宪权,刘义鹤

    (武汉大学物理科学与技术学院,武汉430072)

    摘要:采用化学气相沉积(CVD)法,分别以Ni、Au为催化剂,氨化金属

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