Mn掺杂ZnO外延薄膜：局域结构与稀磁特性的深度剖析.docxVIP

Mn掺杂ZnO外延薄膜：局域结构与稀磁特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景

在材料科学的蓬勃发展中，氧化锌（ZnO）凭借其优良的物理性能，成为了众多研究的焦点。ZnO作为一种重要的宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度约为3.37eV，具有较大的激子束缚能（约为60meV）。这一特性使得ZnO在室温下能够实现高效的激子复合发光，在光电器件领域展现出巨大的应用潜力，如紫外发光二极管、激光二极管等。其独特的晶体结构赋予了它良好的压电性能，在传感器领域发挥着重要作用，可用于压力传感器、加速度传感器等的制备。

随着对材料性能要求的不断提高，Mn掺杂ZnO外延薄膜作为一类具有磁性和半导体特性的复合材料，逐渐走进了科研人员的视野，并在多个领域展现出广泛的应用前景。在磁存储领域，随着信息时代的飞速发展，数据存储需求呈爆炸式增长，对存储密度和速度的要求也越来越高。Mn掺杂ZnO外延薄膜的磁性特性使其有望成为新型磁存储介质，为提高存储密度和读写速度提供了新的可能。其与半导体特性的结合，使得在同一器件中实现数据的存储和处理成为可能，有助于推动磁存储器件向小型化、高速化和多功能化方向发展。在传感器领域，由于ZnO本身的压电和半导体特性，结合Mn的磁性，Mn掺杂ZnO外延薄膜能够对多种物理量和化学量产生响应，可用于制备多功能传感器。例如，在生物传感器中，利用其磁性