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电光信号转换方法的研究概述

2011年，美国加州大学伯克利分校的MingLiu等人首次将石墨烯二维材料用于电光调制器的应用[26]，报道了基于石墨烯的宽光谱可调谐的电光调制器研究。他们将单层石墨烯材料铺垫在硅波导的表面，通过改变单层石墨烯的费米能级来改变混合波导对光的吸收强度，进而实现电光调制。该调制器工作频段为1.3μm到1.6μm，其调制带宽可以达到1GHz，调制深度为0.1dB/μm。2012年，为了提升石墨烯在传输波导中的工作效率，他们改进了单层石墨烯光电调制器的结构方案，采用双层石墨烯结构[27]。在硅波导的表面铺垫双层石墨烯，石墨烯之间采用氧化铝作为电介质层，增加了石墨烯与传输光场的作用区域，提升了调制效率。调制深度增强为0.16dB/μm，调制带宽为1GHz。

2014年，LiChen等人研究了硅与LiNbO3混合的电光调制器[28]，如图1-6所示。基底为SOI(Silicon-On-Insulator)材料，在上面刻蚀完微环谐振腔后，利用苯并环丁烯材料作为绝缘层，并在上面镀上LiNbO3薄膜。该材料结构利用了硅基材料的高折射率差、低损耗且易集成的优势和LiNbO3的高非线性电光系数的优势，实现了微环谐振腔的低损耗。他们制作的半径15μm的微环腔Q值约14000，其电光效应的调制效率达3.3pm/V。

图1-6基于混合Si与LiNbO3结构的L