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再分布层（RDL）光刻工艺中的线宽控制与对准精度研究

摘要

本报告聚焦先进封装技术中再分布层（RDL）光刻工艺的线宽控制与对准精度两大核心参数，以扇出型封装为主要应用场景，系统分析其技术现状、竞争格局与发展趋势。

RDL技术作为扇出型封装实现芯片间高密度互连的关键支撑，其光刻工艺水平直接决定封装体的集成度、信号完整性与良率。报告研究发现，当前主流RDL线宽/线距（L/S）已从早期的15/15μm演进至5/5μm以下，头部企业正向2/2μm乃至1/1μm节点推进。对准精度方面，套刻精度需求已从±3μm提升至±0.5μm级别，这对光刻设备与工艺控制提出了极高要求。

设备层面，步进