光刻仿真中二维掩模近场：扩展傅立叶分析与严格耦合波分析的深度剖析与比较.docxVIP

光刻仿真中二维掩模近场：扩展傅立叶分析与严格耦合波分析的深度剖析与比较

一、引言

1.1研究背景与意义

光刻技术作为现代半导体制造领域的核心技术，在集成电路（IC）制造中扮演着至关重要的角色。随着摩尔定律的持续推进，芯片制造工艺不断向更小的特征尺寸迈进，对光刻技术的分辨率、精度和效率提出了前所未有的挑战。在光刻过程中，掩模作为承载电路图案的关键元件，其近场特性对最终光刻图形的质量和精度有着决定性影响。准确分析掩模近场的光传播特性，对于优化光刻工艺、提高光刻分辨率、降低成本以及推动半导体技术的发展具有重要意义。

扩展傅立叶分析（ExtendedFourierAnalysis，EFA）和严格耦合波分析（RigorousCoupled-WaveAnalysis，RCWA）作为两种重要的数值分析方法，在光刻掩模近场分析中发挥着关键作用。扩展傅立叶分析通过将复杂的光场分布分解为一系列简单的傅立叶分量，能够有效地处理光在周期性结构中的传播问题，为理解光刻掩模近场的光传播机制提供了有力的数学工具。严格耦合波分析则基于麦克斯韦方程组，通过对电磁场的严格求解，能够精确地计算光在复杂结构中的衍射和散射特性，在处理具有任意形状和材料特性的掩模结构时表现出卓越的优势。

这两种分析方法的深入研究和应用，不仅有助于揭示光刻掩模近场的光传播规律，为光刻工艺的优化提供理论指导，还能够促进新型光刻技术的研