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碳化硅功率器件制备工艺进展

一、引言

碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的核心代表，具备禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、电子饱和漂移速度快等一系列优异的电学和热学性能。相比传统硅基功率器件，碳化硅功率器件在高温、高压、高频场景下的表现更为突出，被广泛应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域，是推动电力电子系统高效化、小型化的关键核心器件（中国电子材料行业协会，某年）。

制备工艺是决定碳化硅功率器件性能、良率及成本的核心因素，尽管碳化硅材料的研究始于上世纪中后期，但受限于材料特性和工艺难度，其产业化进程长期滞后于硅基器件。近年来，随着全球对高效能源转换技术需求的持续增长，碳化硅功率器