氧化铝薄膜原子层沉积制备及其介电性能研究.pdf

哈尔滨工业大学理学硕士学位论文

摘要

随着场效应晶体管向纳米级尺度发展，传统热氧化的SiO2栅介质层由于厚

度限制导致器件漏电流较大的问题凸显，急需开发性能优异的高介电薄膜材料。

本论文采用原子层沉积技术制备氧化铝薄膜材料，并通过构建AlO/HfO/AlO

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纳米堆叠结构改善其介电性能，为高介电材料性能提高及器件化应用提供理论

基础与技术支持。

采用原子层沉积技术制备了AlO薄膜，探究沉积温度和三甲基铝（TMA）

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脉冲时间等工艺参数、薄膜厚度及退火温度等条件对AlO薄膜介电性能的影

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响规律。采用XRD、XPS、AFM、LCR电桥等测试方法对薄膜的