半导体器件物理（第2版）-实验指导 3-13 共发射极晶体管伏安特性仿真.docx

仿真实验1共发射极晶体管伏安特性仿真

大家往往熟悉集成电路设计过程中的电路仿真，但是在进行器件设计生产的过程中，存在很多不确定的因素，参数、条件的设置都可能需要经过多次实验才能得到最佳方案。但是半导体器件的生产成本高昂，而采用仿真是一种很有效的措施，可以降低成本，缩短开发周期和提高成品率。也就是说，仿真可以虚拟生产并指导实际生产。

如图1所示，显示了工艺仿真、器件仿真与电路仿真三者间的关系。

图1工艺仿真、器件仿真和电路仿真间的关系

半导体的仿真主要包括工艺仿真和器件仿真，工艺仿真可以实现离子注入、氧化、刻蚀、光刻等工艺过程的模拟；可以用于设计新工艺，改良旧工艺。器件仿真可以实现电学特