半导体器件物理（第2版）-实验指导 1-28 用高频光电导衰减法测量硅中少子寿命.docx

实验2高频光电导衰减法测量硅中少子寿命

半导体中的非平衡少数载流子寿命是与半导体中重金属含量、晶体结构完整性直接有关的物理量。它对半导体太阳电池的换能效率、半导体探测器的探测率和发光二极管的发光效率等都有影响。因此，掌握半导体中少数载流子寿命的测量方法是十分必要的。

1.实验目的

（1）掌握用高频光电导衰减法测量硅单晶中少数载流子寿命的原理和方法。

（2）加深对少数载流子寿命及其与样品其他物理参数关系的理解。

2.实验内容

在光照作用下硅材料中产生非平衡载流子，去掉光照后，随着复合的进行电导率发生变化，测得硅材料的?V?t曲线，可得到硅材料的寿命。

3.实验原理

当能量大于半导体禁带