半导体器件物理（第2版）-实验指导 3-19 晶体管直流参数测量.docx

实验6晶体管直流参数测量

1.实验目的

（1）测量晶体管的直流特性参数。

（2）进一步理解晶体管的基本工作原理。

2.实验内容

利用半导体管特性图示仪测量晶体三极管的直流特性参数，即管子的击穿特性、漏电流和饱和压降等。

3.实验原理

1）ICBO—集电结本身的反向电流，ICEO—穿透电流

我们知道，当发射极开路时，在一定的集电结反向偏压下的集电极电流数值为ICBO，对于硅管来说，它主要是集电结势垒区内的产生电流：

式中，XMC为集电结的势垒厚度，随着反向电压VCB的增大而增大，所以在测试中，规定测试电压为10V。

而当基极开路时，在C、E之间加了一定的反向电压（对集电结），集电极电流