半导体器件物理（第2版）-实验指导 4-24 MOS电容的测量.docx

实验7MOS电容的测量

1.实验目的

（1）熟悉MOS结构的C-V特性，掌握MOS结构的高频C-V曲线的测量方法。

（2）能够根据所测得的高频C-V曲线，求得栅氧化层电容CMOS和氧化层有效正电荷面密度QSS。

2.实验内容

选择电阻率ρ为10～15的P型Si衬底材料，晶向为100，对应的杂质浓度约为，生长一层热氧化层，厚度在100nm，然后溅射金属Al，厚度约1μm左右，栅电极面积选择4mm2，光刻后形成MOS结构。

运用高频C-V特性测试仪测量上述MOS结构的高频C-V特性曲线，并求取栅氧化层电容CMOS和氧化层有效正电荷面密度QSS。

3.实验原理

对于一个实际的MOS结构，当