半导体器件物理（第2版）-实验指导 5-23 MOS型晶体管输出伏安特性曲线的测量.docx

实验10MOS型晶体管输出伏安特性曲线的测量

1.实验目的

（1）通过测量，熟悉MOS型晶体管的输出伏安特性曲线。

（2）根据特性曲线，求取MOS型晶体管的跨导gm。

2.实验内容

（1）测量MOS型晶体管的输出伏安特性曲线。

（2）求取跨导gm。

3.实验原理

运用半导体管特性图示仪测量MOS型晶体管的输出伏安特性曲线。根据跨导的定义式（5-31），可以得到MOS型晶体管饱和区的跨导gm：

4.实验方法

（1）开启半导体管特性图示仪XJ4810的电源，预热5分钟。

（2）将半导体管特性图示仪各相关功能旋钮及按键的位置置于如表所示的位置。

表半导体管特性图示仪功能旋钮及按键的位置