半导体器件物理（第2版）-实验指导 5-16 MOS型晶体管阈值电压VT的测量.docx

实验9MOS型晶体管阈值电压VT的测量

1.实验目的

（1）熟悉MOS型晶体管的转移特性曲线。

（2）掌握MOS型晶体管的阈值电压VT的测量方法。

2.实验内容

测量MOS型晶体管的阈值电压VT。

3.实验原理

由MOS型晶体管的转移特性曲线，根据规定的IDS值，确定VT值。

4.实验方法

（1）开启半导体管特性图示仪的电源，预热5分钟。

（2）将半导体管特性图示仪各相关功能旋钮及按键的位置置于表1所示的位置。

表1半导体管特性图示仪功能旋钮及按键的位置

测试种类

VT（nMOS管增强型）

（测试条件：IDS≥1mA）

VT（pMOS管增强型）

（测试条件：IDS≥1mA）

集