半导体器件物理（第2版）-实验指导 4-34 SBD（肖特基）二极管伏安特性的测量.docx

实验8SBD（肖特基）二极管伏安特性的测量

1.实验目的

（1）熟悉金属-半导体接触的整流特性，掌握SBD（肖特基势垒二极管）的工作原理。

（2）学会运用半导体管特性图示仪测量SBD的正、反向伏安特性。

2.实验内容

测量型号为1N5821的SBD正、反向伏安特性；正向开启电压。

3.实验原理

理论分析表明，SBD的伏安特性方程为：

（1）当施加正向偏压且满足时，上述方程可表达为：

（2）当施加反向偏压时，上述方程可表达为：

式中，为反向饱和电流，即反向漏电流。

4.实验方法

（1）开启XJ4810型半导体管特性图示仪的电源，预热5分钟。

（2）将半导体管特性图示仪各功能旋钮及按键