1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 高等教育
  5. 实验设计

半导体器件物理（第2版）-实验指导 1-18 ：晶体缺陷的观测.docx

半导体器件物理（第2版）-实验指导 1-18 ：晶体缺陷的观测.docx

    实验1晶体缺陷的观测

    1.实验目的

    （1）掌握硅单晶片研磨、热处理、化学抛光和化学腐蚀的操作方法。

    （2）学会在金相显微镜下观测硅单晶中的位错或点缺陷。

    2.实验内容

    在硅单晶（选[111]晶向）片上通过研磨、热处理、化学抛光和化学腐蚀的方法显示晶体缺陷。首先用“非择优腐蚀剂”进行表面化学抛光；然后用“择优腐蚀剂”进行化学腐蚀来揭示晶体缺陷。在金相显微镜下观测硅晶体位错或点缺陷的腐蚀坑，根据显示的腐蚀坑数目来计算缺陷密度。

    3.实验原理

    （1）常用的“非择优腐蚀剂”为：

    HF(40%～42%)∶HNO3(65%)=1

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >