原创力文档英飞凌碳化硅MOSFET
英飞凌CoolSiC™MOSFET650VG2
650VCoolSiC™MOSFET采用英飞凌强大的第2代碳化硅沟槽技术，提供
无与伦比的性能、卓越的可靠性和极佳的易用性。它能够实现经济高
效且简化的设计，满足不断增长的系统和市场需求。
特性
•超低开关损耗
•基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V
•即使栅极关断电压为0V，也能有效防止寄生开启
•驱动电压灵活，兼容双极驱动方案
•硬换向事件下稳健的体二极
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