钼场发射阵列制备与性能研究.pdfVIP

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块体钼场阵列的与表征

、、宋磊、、北京大学微电子

了一种利用氟基感应耦合等离子体(ICP)刻蚀直接在钼衬底上高深宽比(

10)场尖端的简易技术。与传统Spindt阵列相比，该技术消除了薄膜界面问题，器件

表现出1.21V/μm的低开启电场。采用10μm间距的100万尖端阵列，在5.48V/μm电场强度

下可140μA电流。在场显示器中观察到稳定均匀的现象。得益于更优的导电

性和导热性，钼场阵列在长期连续应用中极具前景。

等离子体、场阵列

引言

背景场器件已

场阵列在过去几十年间被广泛研究，因其在微波放大器、场显示器(FED)及

其他真空电子器件应用[1‑2]等多元领域展现出巨大潜力。场现象（图1）可描述为金

属表面传导电子通过势