半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法（ROA） 标准立项发展报告.docx

半导体晶片近边缘几何形态评价第2部分：边缘卷曲法（ROA）标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:SemiconductorWaferNear-EdgeGeometricMorphologyAssessmentPart2:Roll-OffAmplitudeMethod(ROA)

摘要

随着半导体制造工艺不断向3nm及更先进节点演进，晶片边缘区域的几何形态控制已成为影响光刻聚焦精度、良率及器件可靠性的关键因素。为满足产业界对晶片近边缘形貌量化评价的迫切需求，国家标准化管理委员会批准立项GB/T43894.2-2026《