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- 2026-08-29 发布于四川
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光电检测技术与应用第3章光电检测器——半导体光电器件原理与应用
Contents本章内容概览光电检测技术与应用·第3章光电检测器01光敏电阻:原理、特性与应用02光生伏特器件:光电池与光电二极管03光电耦合与位置敏感器件04各类检测器件性能比较与选型
CHAPTER01光敏电阻:原理、特性与应用从光电导效应出发,理解光敏电阻的工作机制与工程应用
Chapter03·Photodetector光敏电阻的结构与工作原理光敏电阻基于光电导效应工作,属于内光电效应器件。光照产生电子-空穴对使半导体电导率增大、阻值降低,通过测量电阻变化即可间接检测光照强度。CdS光敏电阻实物·可见梳状电极结构01光电导效应本质:半导体价带电子吸收光子能量跃迁至导带,产生电子-空穴对,使材料电导率增大、暗电阻向亮电阻转变e?h?02典型结构由绝缘衬底、光敏半导体薄膜(如CdS、PbS)和梳状金属电极组成,梳状设计可最大化感光面积与电阻变化幅度CdS03暗电阻通常在兆欧级别(1–100MΩ),亮电阻可降至数百欧姆,电阻变化范围可达3–5个数量级,提供了良好的检测灵敏度10?×
PhotoresistorCharacteristics光敏电阻的关键特性参数光敏电阻的性能由光谱响应、伏安特性、时间响应和温度特性四大参数体系描述。不同半导体材料决定了其光谱响应范围,而较慢的毫秒级响应速
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