原创力文档2026年电子工程三极管反向击穿电压考试题及答案
一、单项选择题（每题3分，共15分）
1.某硅三极管在300K时测得集电结反向击穿电压为75V，当温度升高至400K时，击穿电压升至82V。该击穿现象最可能由哪种机制主导？
A.齐纳击穿
B.雪崩击穿
C.热电击穿
D.隧道击穿
2.关于三极管反向击穿电压的影响因素，下列表述错误的是？
A.集电区掺杂浓度越低，耗尽层越宽，雪崩击穿电压越高
B.基区宽度增加会导致BVCEO（发射极开路时集电-射极击穿电压）降低
C.齐纳击穿通常发生在掺杂浓度较高（10^18cm^-3）的PN结中
D.表面
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