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半导体性单壁碳纳米管阵列制备技术：挑战、突破与展望

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，电子器件正朝着更小尺寸、更高性能和更低功耗的方向不断迈进。在这一进程中，半导体性单壁碳纳米管阵列凭借其独特的物理性质，成为了未来电子器件领域极具潜力的关键材料，吸引了众多科研人员的广泛关注。

单壁碳纳米管（SWNTs）自1991年被发现以来，因其由单层石墨烯卷曲而成的无缝一维管状结构，展现出众多优异的性能。从力学性能来看，它具有超高强度和杨氏模量，能够承受较大的外力而不发生破坏；在热学方面，具备高导热性，有利于热量的快速传导和散发；电学性能上，拥有高载流子迁移率，电子在其中能够快速传输，这些特性使其在纳电子材料、能源转换领域、功能复合材料以及催化剂载体等多个领域都展现出巨大的潜在应用价值。

特别地，半导体性单壁碳纳米管在电子学领域具有重要意义。它具有高电流开/关比，这一特性使其非常适合作为场效应晶体管的沟道材料。在未来的集成电路中，有望取代传统的硅基材料，成为构建高性能器件的核心元件。与硅基材料相比，半导体性单壁碳纳米管的原子尺度厚度使其能够实现更小的器件尺寸，从而进一步提高芯片的集成度；稳定的结构则保证了器件在复杂环境下的可靠性和稳定性；超高的电子迁移率可使电子在其中快速传输，大大提高了器件的运行速度，降低了功耗，为实现更快、更小、更节能的电子器件提供了可能。

然而