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模拟电子技术基础期末考试试题及答案.docx

模拟电子技术基础期末考试试题及答案.docx

    模拟电子技术基础期末考试试题及答案

    一、单项选择题（每题2分，共20分）

    1.在本征半导体中，自由电子浓度与空穴浓度的关系是（）

    A.自由电子浓度大于空穴浓度

    B.自由电子浓度小于空穴浓度

    C.两者相等

    D.不确定

    答案C

    解析本征半导体中自由电子与空穴成对产生，浓度相等。

    2.PN结加正向电压时，其空间电荷区（）

    A.变宽

    B.变窄

    C.不变

    D.消失

    答案B

    解析正向偏置使扩散运动增强，空间电荷区变窄。

    3.双极型三极管工作在放大区时，发射结和集电结的偏置状态为（）

    A.发射结正偏、集电结反偏

    B.发射结正偏、集电结正偏

    C.发射结反偏、

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