30V N沟道MOSFET技术手册.pdfVIP

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  • 2026-09-01 发布于北京
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APM3054N

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

FeaturesPinDescription

•30V/15A,

RDS(ON)=48mΩ(典型值)

@

VGS

=10V

RDS(ON)=75mΩ(典型值)

@

VGS=4.5

V

•密度单元设计

•高功率

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