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- 2026-09-03 发布于浙江
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ICS31.080.30
CCSL44
团体标准
T/CASAS047—2025
代替T/CASAS047—2024
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
（SiCMOSFET）动态高温高湿反偏
(DH3TRB)试验方法
Dynamichigh-humidity,high-temperaturereversebiastestmethod
(DH3TRB)forsiliconcarbidemetal-oxidesemiconductorfiledeffect
transistor(SiCMOSFET)
2025-12-30发布2025
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